黑基职教网:包含各种考证等职教知识

网站首页

您的位置:首页 学历类高职单招 → 2025年05月21日高职单招每日一练《电子技术基础》

2025年05月21日高职单招每日一练《电子技术基础》

2025/05/21 作者:匿名 来源:本站整理

2025年高职单招每日一练《电子技术基础》5月21日专为备考2025年电子技术基础考生准备,帮助考生通过每日坚持练习,逐步提升考试成绩。

判断题

1、理想集成运放的输出电阻越小越好。()

答 案:对

解 析:理想集成运放的输出电阻趋近于0。故正确。

2、多级放大电路的级数越多,则其电压增益越大。()

答 案:对

解 析:多级放大电路总的电压增益(放大倍数)等于组成它的各级单管放大电路的电压增益(放大倍数)之和(之积),因此级数越多,其电压增益(放大倍数)越大。故正确。

3、输出正电压的集成稳压器,不能用在输出负电压的集成稳压器中。()

答 案:对

解 析:三端集成稳压器的输出端有正、负之分,使用时不得用错。故正确。

单选题

1、负反馈放大电路中,反馈信号()  

  • A:仅取自于输入信号
  • B:仅取自于输出信号
  • C:取自于输入信号或输出信号
  • D:取自于输入信号和输出信号

答 案:B

解 析:反馈信号的取样对象是输出端的信号,可以是输出电压或输出电流。反馈信号取自于输出电压,并与输出电压成正比,则为电压反馈。反馈信号取自于输出电流,并与输出电流成正比,则为电流反馈。故B正确。

2、场效晶体管的转移特性曲线如图所示,则该管为()  

  • A:N沟道耗尽型MOS管
  • B:P沟道耗尽型MOS管
  • C:N沟道增强型MOS管
  • D:P沟道增强型MOS管

答 案:C

解 析:场效晶体管的转移特性曲线是指在漏源电压UDS一定的情况下,栅源电压uCS和漏极电流iD之间的关系曲线。题图所示为N沟道增强型MOS管的转移特性曲线。故C正确。

3、在如图所示的电路中,若X(t)=1,Q(t)=0,触发器的新态和输出是()  

  • A:Q(t+1)=0,Z(t)=0
  • B:Q(t+1)=0,Z(t)=1
  • C:Q(t+1)=1,Z(t)=0
  • D:Q(t+1)=1,Z(t)=1

答 案:C

解 析:根据题意可以写出题图所示电路的状态方程式,即 Q(t+1)=X(t)=1,Z(t)=X(t)Q(t)=0。故C正确。  

主观题

1、试用反馈置数法将如图所示的74HC161设计成一个初始状态电路Q3Q2Q1Q0=0001的按非自然序列构成的十进制计数器。  

答 案:由题意可得该电路的状态图如图所示: 因此设计电路如图所示:  

2、将十进制数93分别用8421BCD码和二进制数来表示。  

答 案:将十进制数转换为8421BCD码的方法是将十进制数的每1位转换为与其相应的4位BCD码,对应关系如下。 因此(93)10=(10010011)8421BCD 将十进制数转换为二进制数采用除2取余倒记法,有(93)10=(1011101)2。  

3、理想运放构成的电路如图所示。 (1)指出集成运放构成何种运算电路; (2)写出uo与uI的关系式; (3)指出电路中引入的反馈极性及组态。  

答 案:(1)该电路为集成运放构成的同相比例运算电路。 (3)电路引入的反馈为电压串联负反馈。  

填空题

1、采用四位比较器对两个四位数进行比较时,先比较()位。  

答 案:最高

解 析:采用四位比较器对两个四位数进行比较时,应先比较最高位。

网友评论

0
发表评论

您的评论需要经过审核才能显示

精彩评论

最新评论